二手蓝宝石长晶炉常州新北控制柜的电话2，触点的绘制位置。使触点动作的外力方向必须是：当图形垂直放置时为从左到右，即垂线左侧的触点为常触点，垂线右侧的触点为常闭触点，当图形水平放置时为从下到上，即水平线下 方的触点为常触点，水平线上方的触点为常闭触点。1，合理调整高峰时段用电负荷正常情况下应尽量使变压器的负荷率控制在60%左右，此时变压器的损耗较低。因此，在高峰用电时段，应优化设备运行方案，选择卸除某些相对不重要的机电负荷和照明负荷，使高峰期负荷降低。
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并采取某些制动措施，使电动机迅速停车的控制环节，如能耗制动，电源反接制动，倒拉反接制动和再电制动等，6，自锁及闭锁同路：启动按钮松后，线路保持通电，电气设备能继续工作的电气环节叫自锁环节，如接触器的动合触点串联在线圈电路中。两台或两台以上的电气装置和组件，为了保设备运行的安全与可靠，只能一台通电启动，另一台不能通电启动的保护环节，叫闭锁环节。5如两个接触器的动断触点分别串联在对方线圈电路中。制动停车回路：切断电路的供电电源。主机部分：机架单晶硅生长炉原理简介单晶硅生长炉的特点\单晶硅生长炉是通过直拉法生产单晶硅的设备。主要由主机高像素CCD测径ADC系统和具有知识产权的“全自动Cz法晶体生长SCADA系统”，可实现从抽真空—检漏—炉压控制—熔料—稳定—溶接—引晶—放肩—转肩—等径—收尾—停炉全过程自动控制。后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩，接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角，然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度。
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(4)可以同时实现红外测温仪和温度传感器的，二者相互配合，使得操作人员能够更方便地了解和操控温场；随着材料的研发，耐高温温度传感器成本的下降，使得红外测温仪完全被取代，使得泡生法实现自动化成为可能。分子泵，真空泵，真空流量计，plc编程，控制屏，离子泵，涡轮分子泵，螺杆真空泵，涡旋高真空泵，在籽晶提升机构里采用钢索卷筒提升钢丝绳。整个提升装置在一根中空的轴上旋转，该机构经过静平衡和动平衡测试，在整个运行范围内可实现无振动平稳的运行。旋转密封和提升进给密封均采用磁流体密封。提升腔、离合器腔、称重腔和晶升底板均由高强度铝而成。
