旧单晶硅炉泰州兴化控制屏的包括2011年度的金太阳项目，太阳能光电建筑应用示范工程，以及光伏上网电价等。这些政策的和实施，对光伏产业起到了很好的推动作用。在能源科技“十二五”规划中，明确划分了4个技术领域：勘探与采技术，与转化技术，发电与输配电技术和新能源技术。提到2020年，光伏发电成本降低到与常规电力相当的目标，充分体现了实现由能源大国向能源强国转变。2011年度促进光伏应用发展的决心。相关部门推出了一系列的激励政策而能源局公布的“十二五”可再生能源目标。离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力。科学技术的发展不断推动着半导体的发展。自动化和计算机等技术发展，使硅片（集成电路）这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度。坩埚 速度与转速，保护气体的流速等因素的影响。其中温度主要决定能否成晶，而速度将直接影响到晶体的内在质量，而这种影响却只能在单晶拉出后通过检测才能获知。温度分布合适的热场，不仅单晶生长顺利，而且品质较高，如果热场的温度分布不是很合理，生长单晶的过程中容易产生各种缺陷，影响质量，情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶。因此在投资单晶生长企业的前期，一定要根据生长设备，配置出合理的热场。提拉速度与转速单晶炉热场的设计与单晶直径在生长过程中可受到温度从而保生产出来的单晶的品质。在晶体生长分析与设计中，实验与数值是相辅相成的，其过程可以分为两个部分：（1）在阶段，利用引上法晶体生长实验来进行数值模拟参数的调整。（2）在第二阶段，利用数值模拟是用来确定佳的晶体生长工艺参数。

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零电流关PWM转换器（ZCS PWM Converter），零电压转换（Zero-Vo1tage-Transition，ZVT）PWM转换器和零电流转换（Zero- Vo1tage-Transition，ZVT）PWM转换器等，均属于软关直流转换器。电力电子关器件和零关转换器技术的发展，促使了高频关电源的发展。然后从 该炉上端充入氩气。工作时，炉内的石英坩埚上方不断有一氧化硅和粉尘 杂质生成，因此在不断充入氩气的同时，所述真空泵同时将一氧化硅，粉 尘杂质与氩气等的混合气体排出，其中，气体的流动过程为从石英坩埚上 方经坩埚支持器14与发热体16之间的间隙，以及发热体16与保温筒17 之间的间隙流入气流导向装置20。由设于排气口 13上的真空泵将炉内空气排尽在该炉工作前然后经图6中的气流导向装置20的一对 通气孔2-3既有效地防止了一氧化硅气体对 加热器7和坩埚支持器14等石墨器件的腐蚀，还可有效防止杂质粉尘吸附 在这些石墨器件上，从而确保了该炉的使用寿命。气流导向装置20的一对 通气孔2-3与该炉的一对排气口 13相对设置，缩短了排气管路的长度，利 于提高排气效率。